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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应德国英飞凌BSM100GB170DLC，BSM100GB170DLC价格
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应德国英飞凌BSM100GB170DLC，BSM100GB170DLC价格，有意者联系13811136672（张小姐）
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：1700 V
集电极—射极饱和电压：2.6 V
在25 C的连续集电极电流：200 A
栅极—射极漏泄电流：200 nA
功率耗散：960 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：62MM
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
工厂包装数量：500
我公司专业经销SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克) Infineon(英飞凌)、FUJI(富士) MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社) DYNEX(丹尼克斯)产功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅; 西门康、CONCEPT(瑞士)驱动板; 日本谏早IDC驱动模块;电解电容；吸收电容（台湾CAPSIT）; IXYS,西门子（英飞凌）快恢复二极管; 另ATMEL(爱特梅尔)AT91系列ARM集成电路.
IGBT的等效电路如图1所示。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：——IGBT栅极与发射极之间的电压;——IGBT集电极与发射极之间的电压;——流过IGBT集电极－发射极的电流;——IGBT的结温。IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
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