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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应BSM150GB120DLC现货热卖，BSM150GB120DLC技术资料
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应BSM150GB120DLC现货热卖，BSM150GB120DLC技术资料，有意者联系13811136672（张小姐）
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
在25 C的连续集电极电流：300 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：1.25 KW
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：62MM
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
工厂包装数量：500
（1） 较高栅电压下，阈值电压漂移较大，图3示出P沟硅栅MOS在高栅电压下的。栅电压VG=40V时，=4V
（2） PT—IGBT在高温栅偏压下阈值电压漂移。图4给出PT—IGBT（IRG4BC20F）在（1）栅已射极Gge=20V，Vce=OV（HTGB）和（2）Vge=0V，Vce=0.8V(HTRB)在140℃，经过1200小时的应力试验结果。由图4中的HTGB曲线可见，栅偏置试验开始后100小时内，时线性增加，随后趋于稳定。
（3） 电可擦只读存贮器（electrically erasable read-only memory，简称EEROM）的存贮单元是氮化硅（Si3N4）—二氧化硅(SiO2)构成的双层绝缘栅的MOS管，它利用栅极注入电荷来改变ROM存贮单元的状态。
（4） MOS是一种单极，多数载流子器件，按半导体器件理论，它的抗辐射，主要是抗γ射线的能力应该比双极、少数载流子器件强，但是，实际情况刚相反。这说明MOS的绝缘栅结构在辐射场下有较大的损伤和电荷交换。
（5） 以上4种情况说明，MOS阈值电压漂移在电力电子的应用条件，即高电压（接近栅击穿电压）、大电流和高温（接近pn结临界温度150℃）时，是一种导致器件和电路失效的潜在参数，似乎仍需系统考察和修订老化条件。所以，将称作是一种可能隐藏的失效模式专业经销SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克)
Infineon(英飞凌)、FUJI(富士) MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社) DYNEX(丹尼克斯)产功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅; 西门康、CONCEPT(瑞士)驱动板; 日本谏早IDC驱动模块;电解电容；吸收电容（台湾CAPSIT）; IXYS,西门子（英飞凌）快恢复二极管; 另ATMEL(爱特梅尔)AT91系列ARM集成电路
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