微逻辑集成电路（深圳）电子 （非本站正式会员）

数据列表	Si1022R
标准包装	3,000
类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
FET 型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	-
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	1.25 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds	30pF @ 25V
功率 - 最大	250mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-75A
供应商设备封装	SC-75A
包装	带卷 (TR)
产品目录页面	1661 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SI1022R-T1-GE3TR

深圳市微逻辑集成电路有限公司，是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场，同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求，微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC，依靠强大的技术团队，不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。三极管工作原理　　晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。　 　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic，这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。