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BSM150GB120DN2的参数

制造商：Infineon

产品种类：IGBT 模块

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

集电极—射极饱和电压：2.5 V

在25 C的连续集电极电流：210 A

栅极—射极漏泄电流：320 nA

功率耗散：1.25 KW

最大工作温度：+ 150 C

封装 / 箱体：Half Bridge2

栅极/发射极最大电压：20 V

安装风格：Screw

工厂包装数量：500

 IGBT测量

1、判断极性首先将万用表拨在 R×1K 。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ) ：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在 R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ) ，红表笔接 IGBT 的发时极 ( E ) ，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ) ，这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G ）和发射极（ E ) ，这时 IGBT 被阻断，万用表的指针 回零。此时即可判断 IGBT 是好的。

3 、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测 IGBT 。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在 R×IOK挡，因 R×IKQ 档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断 IGBT 的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管 ( P 一 MOSFET ）的好坏。

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