微逻辑集成电路(深圳)电子 (非本站正式会员)

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【SSM3K04FE】Toshiba 金氧半场效晶体管SSM3K04FE 优势现货

  • 【SSM3K04FE】Toshiba 金氧半场效晶体管SSM3K04FE 优势现货
产品价格:
0.1/ 1pcs
厂 家:
TOSHIBA
批 号:
12+ROHS
数 量:
23000
 
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产品详细说明

产品规格

Package Information

Toshiba Package Name ESM
Pins 3

Absolute Maximum Ratings

Characteristics Symbol Rating Unit
Drain current ID 0.1 A
Drain-Source voltage VDSS 20 V
Gate-Source voltage VGSS 10 V

Electrical Characteristics

Characteristics Symbol Condition Value Unit
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 12 Ω
Drain-Source on-resistance (Typ.) RDS(ON) |VGS|=2.5V 4 Ω
Gate-Source on-resistance (Typ.) RGS - 1
Gate threshold voltage (Max) Vth - 1.3 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 0.7 V
深圳市微逻辑集成电路有限公司,是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场,同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求,微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC,依靠强大的技术团队,不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。  

电路符号

  常用于MOSFET的电路符号有很多种变化,最常见的设计是以一条直线代表通道,两条和通道垂直的线代表源极与漏极,左方和通道平行而且较短的线代表栅极,如下图所示。有时也会将代表通道的直线以破折线代替,以区分增强型MOSFET(enhancement mode MOSFET)或是耗尽型MOSFET(depletion mode MOSFET)。
  由于积体电路芯片上的MOSFET为四端元件,所以除了栅极、源极、漏极外,尚有一基极(Bulk或是Body)。MOSFET电路符号中,从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为n-type或是p-type的MOSFET。箭头方向永远从P端指向N端,所以箭头从通道指向基极端的为p-type的MOSFET,或简称PMOS(代表此元件的通道为p-type);反之若箭头从基极指向通道,则代表基极为p-type,而通道为n-type,此元件为n-type的MOSFET,简称NMOS。在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基极和源极接在一起,故分布式MOSFET通常为三端元件。而在积体电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极(common bulk),所以不标示出基极的极性,而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。