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产品价格:
0.1/ 1pcs
厂 家:
RENESAS
批 号:
12+ROHS
数 量:
23243
 
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产品咨询直线:0755-82577642

产品详细说明

2SJ243

分类: MOSFET
类型: P
厂商: 瑞萨电子    RENESAS
VDS: -30V
ID: 0.1A / -0.1A
VGS(max): ±7V
RDS(on): 100Ω (VGS=-2.5V,ID=-0.001A)
25Ω (VGS=-4V,ID=-0.01A)
封装: SC-75(SOT-523)
深圳市微逻辑集成电路有限公司,是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场,同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求,微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC,依靠强大的技术团队,不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。                                                MOSFET与IGBT的对比  MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。