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深圳市微逻辑集成电路有限公司，是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场，同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求，微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC，依靠强大的技术团队，不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。                                                                                                                                                                   

MOSFET的结构

　　一个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个n-type MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为n-type（即NMOS）或是同为p-type（即PMOS）。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是p-type。反之对PMOS而言，基体应该是n-type，而源极与漏极则为p-type（而且是重掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。 　　对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让n-type半导体的多数载子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载子也无法在源极与漏极之间流动。供应KEC韩国原装KTK5131V 　　假设操作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为p-type、基体则是n-type。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的电洞会被吸引到表面形成通道，供应KEC韩国原装KTK5131V半导体的多数载子—电洞则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载子在源极和漏极间流动。供应KEC韩国原装KTK5131V 　　特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载子的来源”。对NMOS而言，多数载子是电子；对PMOS而言，多数载子是电洞。相对的，漏极就是接受多数载子的端点