微逻辑集成电路（深圳）电子 （非本站正式会员）

营销部

联系地址：深圳市賽格電子市場高科德交易中心一樓12101

联系电话：+86-0755-8338 0020

手机号码：13590255008

深圳市微逻辑集成电路有限公司，是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场，同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求，微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC，依靠强大的技术团队，不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。                                                                                                                                                                   

MOSFET的操作原理

　　MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容 　　金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。 　　当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个p-type的半导体（电洞浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，电洞的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过电洞。这个在p-type半导体中，电子浓度（带负电荷）超过电洞（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。 　　MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载子的漏极。