微逻辑集成电路（深圳）电子 （非本站正式会员）

数据列表	FK390601 View All Specifications
标准包装	3,000
类别	分离式半导体产品
家庭	FET - 单
系列	-
FET 型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)	60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C	100mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C	12 欧姆 @ 10mA，4V
Id 时的 Vgs(th)（最大）	1.5V @ 1µA
闸电荷(Qg) @ Vgs	-
输入电容 (Ciss) @ Vds	12pF @ 3V
功率 - 最大	125mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-89，SOT-490
供应商设备封装	SS迷你型3-F3-B
包装	带卷 (TR)

深圳市微逻辑集成电路有限公司，是优秀的技术驱动型IC代理商。多年来我们一直专注于与优秀的国内IC设计公司合作,把中国‘芯’片推广到国内国际市场，同时依靠香港、马拉西亚、欧美引进一些国内无法完善和生产的进口芯片以满足国内客户需求，微逻辑10年创新以逐步成为亚太地区稳定及最完善的电子元器件供货配套商。
      于此同时微逻辑的客户网络成熟,目前客户主要是安防监控和数码消费电子的品牌制造商、OEM厂商,未来我们还将逐渐开发通讯和工业领域的客户。微逻辑存在的价值是让客户用上性价比更高的IC，依靠强大的技术团队，不仅帮客户降低成本,更能和客户一起改善产品性能,增强客户产品的市场竞争力。
    微逻辑非常重视客户关系的建立和维护, 我们将“服务感动客户”的理念贯穿始终,用服务抓紧客户。经过多年的付出,我们得到了很多客户和供应商的高度肯定,已经多次被富士康,TCL,康佳,诺贝,德瑞等客户评为“优秀战略合作伙伴”,“优秀供应商”,“优秀协力厂商”。                                                                                                                                                                 目前的角度来看MOSFET的命名，事实上松下原装FK390601低压场效应FK390601会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表“metal”的第一个字母M在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期MOSFET的栅极（gate electrode）使用金属作为其材料，但随著半导体技术的进步，现代的MOSFET栅极早已用多晶硅取代了金属FK390601 　　MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。 　　MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。 　　今日半导体元件的材料通常以硅（silicon）为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗（germanium）的混合物发展的硅锗松下原装FK390601低压场效应FK390601制程（silicon-germanium process,SiGe process）。而可惜的是很多拥有良好电性的半导体材料，如砷化镓（gallium arsenide,GaAs），因为无法在表面长出品质够好的氧化层，所以无法用来制造MOSFET元件。 　　当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假松下原装FK390601低压场效应FK390601设漏极和源极是n-type，那么通道也会是n-type。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。