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香港铭泰股份有限公司
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产品详细说明
IRFR120N MOS管的详细信息 
- 品牌/型号：IR/IRFR120N
- 种类：结型JFET
- 用途：MOS-HBM/半桥组件
- 封装外形：SMDSO/表面封装
- 材料：N-FET硅N沟道
- 开启电压：75（V）
- 夹断电压：60（V）
- 低频跨导：12（μS）
- 极间电容：1（pF）
- 低频噪声系数：1（dB）
- 最大漏极电流：85（mA）
- 最大耗散功率：85（mW）
- 沟道类型：N沟道
- 导电方式：耗尽型
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