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北京名动晶华科技有限公司
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产品分类
供应焊机、变频专用模块BSM300GB120DLC，BSM300GB120DLC全新原装
产品详细说明
北京名动晶华科技有限公司供应焊机、变频专用模块BSM300GB120DLC，BSM300GB120DLC全新原装，有意者联系13811136672（张小姐）
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V
集电极—射极饱和电压：2.1 V
在25 C的连续集电极电流：625 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：2500 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：62MM
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
工厂包装数量：10
IGBT的基本结构
绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region ）。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区（Drain injector ），它是 IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 IGBT的结构剖面图如图2所示。它在结构上类似于MOSFET ，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET 的N+基板（漏极）上增加了一个P+ 基板（IGBT 的集电极），形成PN结j1 ，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似。
专业经销SEMIKRON(西门康)、EUPEC(优派克) Infineon(英飞凌)、FUJI(富士) MITSUBISHI(三菱)、SANREX(三社) DYNEX(丹尼克斯)产功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅; 西门康、CONCEPT(瑞士)驱动板; 日本谏早IDC驱动模块;台湾卡普斯特 （电解电容；吸收电容;） IXYS,西门子（英飞凌）快恢复二极管; ATMEL(爱特梅尔)AT91系列ARM集成电路.
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