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北京名动晶华科技有限公司
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供应英飞凌二极管模块BYM300A170DN2，BYM300A170DN2现货库存
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北京名动晶华科技有限公司供应英飞凌二极管模块BYM300A170DN2，BYM300A170DN2现货库存，有意者联系13811136672（张小姐）
BYM300A170DN...
参数信息：
参数信息：
制造商：Infineon
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
封装 / 箱体：62 mm
最小工作温度：- 40 C
安装风格：Screw
工厂包装数量：500
IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET 内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N一区进行电导调制，减少N一区的电阻 Rdr值，使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET 内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT 即关断。 正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板，形成了四层结构，由PNP－NPN晶体管构成 IGBT 。但是，NPN晶体管和发射极由于铝电极短路，设计时尽可能使NPN不起作用。所以说， IGBT 的基本工作与NPN晶体管无关，可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极，PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。 采取这样的结构可在 N一层作电导率调制，提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 N一层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP－NPN 晶体管的连接形成晶闸管。
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