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东芝软件包名称  SSM
JEITA  SC-75
封装代码  SOT-416
销  3
安装 表面贴装
漏电流  I D  0.1 一
漏 - 源极电压  V DSS  20  V
栅极 - 源极电压  V GSS  + / -10  V
漏源导通电阻（最大）  R DS（ON）  | V GS = 1.5V  15  Ω
漏源导通电阻（典型值）  R DS（ON）  | V GS = 1.5V  5.2  Ω
栅极阈值电压（最大值）  V th的  -  1.1  V
栅极阈值电压（最小值）  V th的  -  0.6  V
SSM3K16FS东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型SSM3K16FS高速开关应用单位：mm模拟开关应用•适用于高密度安装的紧凑型封装•低导通电阻RON = 3.0？ （最大）（@ VGS = 4 V）：RON = 4.0？ （最大）（@ VGS = 2.5 V）：RON = 15？ （最大）（@ VGS = 1.5 V）绝对最大额定值（大= 25°C）特征符号额定值单位漏源电压VDS 20 V的栅源电压VGSS±10 V DC ID为100的漏电流mA脉冲IDP 200漏电源功耗（TA = 25°C）PD 100 mW的沟道温度Tch 150°C JEDEC？ 存储温度范围Tstg -55〜150°C JEITA？ TOSHIBA 2 2H1B注：在重负载下持续使用（如高温/电流/电压和显着的变化，重量：2.4毫克（典型值）温度等）可能导致本产品的可靠性显着减少即使工作条件下类型代号：SSM3K16FS

类型：MOSFET SSM3K16FS晶体管

控制通道的类型：N-沟道

最大功耗（PD）：

最大漏 - 源极电压（UDS）：20V

最大漏极 - 栅极电压（UDG）：

最大栅源电压（UGS）：10V

最大漏极电流（ID）：0.1A

最大结温（Tj）：

SSM3K16FS晶体管（Tr）上升时间：

漏 - 源极电容（CD），PF：

最大漏 - 源通态电阻（RDS），欧姆：15Ohm

SSM3K16FS晶体管的制造商：东芝

包装：SOT-416/SC-75/SSM

应用：MOSFET