深圳市尤尼达斯电子有限公司 （非本站正式会员）

原装现货，自己库存，可先看货

深圳市尤尼达斯电子有限公司
联系人：张小姐

Q     Q：2212726989
电   话：0755-83741532/13631663762
传   真：0755-82813792
M  S  N:jialing20111@hotmail.com
网   址：Http：//www.dwtbj.com
地   址：（公司）深圳市福田区福虹路华强花园C座13C//（门市）新亚洲一期3B020

东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOS IV） TPC8026 锂离子电池应用 移动设备的应用 笔记本电脑应用 •占地面积小，因小而薄的封装 •低漏源导通电阻：R DS（ON） = 5.1mΩ（典型值） •高正向传输导纳| Y FS | = 30 S（典型值） •低泄漏电流：I DSS = 10μA（最大值）（V DS = 30 V） •增强模式：V 日 = 1.3〜2.5 V（V DS = 10 V，I ð = 1毫安类型代号：TPC8026

的TPC8026晶体管类型：MOSFET

控制通道的类型：N-沟道

最大功耗（PD）：1.9W

最大漏 - 源电压（UDS）：30V

最大漏极 - 栅极电压（UDG）：

最大栅源电压（UGS）：

最大漏极电流（ID）：13A

最大结温（Tj）：

TPC8026晶体管（Tr）上升时间：

漏 - 源极电容（CD），PF：

最大漏 - 源通态电阻（RDS），欧姆：

TPC8026晶体管制造商：东芝

包装：SOP-8（5.5_x_6.0条）

应用范围：功率MOSFET（N沟道VDSS <30V）

等效晶体管TPC8026TPC8046-H东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOS-H）TPC8046-H开关稳压器应用电机驱动应用单位：毫米DC-DC转换器应用•占地面积小，因小而薄的包装•高高速开关•栅极电荷：QSW = 15 NC（典型值）•低漏源导通电阻RDS（ON）=3.8米？ （典型值）•高正向传输导纳：YFS | = 62 S（典型值）•低漏电流IDSS = 10 A（最大）（VDS = 40 V）增强模式：VTH = 1.3到2.3 V（ VDS = 10V，ID = 0.5 mA）的绝对最大额定值（大= 25°C）特征符号额定值单位漏源电压VDSS漏门电压40 V（RGS = 20 K？）VDGR 40 V栅极 - 源极电压VGSS ±20 V JEDEC？ DC（注1）ID 18漏电流（A）JEITA？ IDP 72脉冲（注1）漏极功耗（T = 10秒）TOSHIBA 2 6J1B PD 1.9 W（注2A）重量：0.085克漏极功耗（典型值）（T = 10秒）PD 1.0 W（附注2b ）单脉冲avalanc的