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深圳市万国高科电子有限公司
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联系方式
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产品分类
供应美国万代AOS N沟道场效应管 AO4812
产品详细说明
供应美国万代AOS N沟道场效应管 AO4812
标准包装：3000/TR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET-单路
FET型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：28毫欧@6.9A,10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)@25°C：6.9A
闸电荷(Qg)@Vgs：6.74nC@3V
功率-最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOP-8
供应商设备封装：SOP-8
包装：带卷(TR)
实体认证查看诚信档案
| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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