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供应分离式半导体IRFP460 优势库存IRFP460 热卖
产品详细说明
IRFP460 参数
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 270 毫欧 @ 12A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs 210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4200pF @ 25V
功率 - 最大 280W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
包装 管件
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半导体中的电子所具有的能量被限制在基态（ground state）与自由电子（free electron）之间的几个「能带」（energy band）里，也就是电子所具备的能量必定为不连续的能阶。当电子在基态时，相当於此电子被束缚在原子核附近；而相反地，如果电子具备了自由电子所需要的能量，那麽就能完全离开此材料。每个能带都有数个相对应的量子态（quantum state），而这些量子态中，能量较低的都已经被电子所填满。这些已经被电子填满的量子态中，能量最高的就被称为价带（valence band）。半导体和绝缘体在正常情况下，几乎所有电子都在价带或是其下的量子态里，因此没有自由电子可供导电。
