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•内置双数据速率架构与2 
每时钟周期的访问。 
•单2.5V±0.2V电源 
•2.5V SSTL-2兼容的I / O 
•突发长度（B / L），2，4，8 
•2,2.5,3时钟读取延迟 
•双向，间歇性数据选通（DQS） 
•以外的所有输入数据和DM进行采样， 
在系统时钟的正边缘。 
•数据屏蔽（DM）写数据 
•顺序与交错突发类型 
•自动预充电选项为每个突发访问 
•DQS边沿对齐的数据读周期 
•DQS中心对齐的数据写周期 
•DLL赞同DQ和DQS与CLK过渡 
过渡 
•自动刷新和自刷新 
•8192 / 64ms刷新周期 EM42AM1684RTA是高速同步 
制造超高性能的图形RAM 
CMOS 268435456位 
组织16位4Meg字×4银行。 
256MB的DDR SDRAM采用双数据速率 
架构来实现高速操作。 
内部数据路径预取多个位 
将datafor的上升沿和下降沿 
，系统clock.It意味着双倍的数据 
在I / O引脚，可以实现带宽。 
可用的软件包：，TSOPII 66P 400mil。部分无组织最大。 频率包装等级PB 
EM42AM1684RTA-75F 16M X 16 133MHz的CL25 66pin TSOP（LL）商业自由 
EM42AM1684RTA-6F 16M X 16 166MHz的CL25 66pin TSOP（LL）商业自由 
EM42AM1684RTA-5F 16M X 16 200MHz的CL3 66pin TSOP（LL）商业自由 

原装现货，自己库存，可先看货

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