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深圳市誉德瑞电子有限公司
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供应BSO200P03，SOP8封装MOSFET P 通道BSO200P03
产品详细说明
BSO200P03参数：
| 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 毫欧 @ 9.1A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2330pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
MOSFET与IGBT的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。特点：击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A.由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz.
我公司专业为生产企业提供全面周到的配套采购服务，主要内容包括：MCU、FLASH Memory、EEPROM、RS-232/485接口电路、RFIC、SRAM、DRAM、POWER、电源管理IC、放大器、显示驱动、音响及功放IC、遥控IC、光电耦合器、三端稳压、可控硅等。
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