承泽电子(北京)有限公司

13年

供应MMBT5551LT1G原装现货,MMBT5551LT1G价格优惠,MMBT5551LT1G长期供货。

  • 供应MMBT5551LT1G原装现货,MMBT5551LT1G价格优惠,MMBT5551LT1G长期供货。
产品价格:
0.2/ 1pcs
厂 家:
ON
封 装:
SOT-23
批 号:
11+
数 量:
5000
 
点此询价

产品咨询直线:010-62558552

产品详细说明

 

型号 MMBT5551LT1G

制造商 ON Semiconductor

描述 TRANS SS NPN 160V HV SOT23

封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

包装 带卷 (TR)

类别 分离式半导体产品

产品系列 晶体管(BJT) - 单路

安装类型 表面贴装

数据列表 MMBT(5550,51)LT1

标准包装 3,000

其它名称 MMBT5551LT1GOS MMBT5551LT1GOS-ND MMBT5551LT1GOSTR

功率 最大 225mW

电压 集电极发射极击穿(最大) 160V

电流 集电极 (ic)(最大) 60mA

晶体管类型 NPN

在某 icvce 时的最小直流电流增益 (hfe) 80 @ 10mA, 5V

电流 集电极截止(最大) 100nA

ibic条件下的vce饱和度(最大) 200mV @ 5mA, 50mA

安装风格 SMD/SMT

晶体管极性 NPN

功率耗散 225 mW

集电极发射极最大电压 VCEO 160 V

发射极 基极电压 VEBO 6 V

最大直流电集电极电流 0.6 A

集电极连续电流 0.6 A

全新原装进口,柜台现货,欢迎查询010-57137171 杨小姐。