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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应AO6602L场效应管，TSOP-6封装场效应管
产品详细说明
AO6602L 场效应管的参数： 类别：分离式半导体产品 家庭：FET - 阵列 FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)：30V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.1A, 2.7A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 3.1A, 10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250?A 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.5nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：240pF @ 15V 功率 - 最大：1.15W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：SC-74, SOT-457 供应商设备封装：6-TSOP 包装：带卷 (TR) 场效应管的分类： 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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