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NTGS3446T1G 功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6

NTGS3433T1G
NTGS3441T1G
NTGS3443T1G
NTGS3446T1G
NTGS3455T1G
功率MOSFET,5.1安培,20V,N沟道,SOT23-6
产品特征
1.超低的RDS（on）
2.更高的效率延长电池寿命
3.逻辑电平门极驱动
4.智能决策支持系统指定的高温
5.无铅封装（G后缀）
应用
1.电源管理在便携式和电池供电的产品，即电脑，打印机，PCMCIA卡，手机和无绳电话
2.锂离子电池应用
3.笔记本电脑

NE38018 场效应管,低噪声放大器

完整型号:
NE38018
NE38018-T1
NE38018-T1A
NE38018-T1B
NE38018-T1-A
NE38018-T1-B
NE38018-T1-67
NE38018-T1-68
NE38018-T1/67
NE38018-T1/68
厂家:NEC
年份:10+
封装:SOT23-4
供应数量:30000PCS
最小包装:3000PCS/盘
产品描述
1.超低噪声
2.NF = 0.55 dB typ. Ga = 14.5 dB typ. OIP3 = 22 dBm (V67), OIP3 = 23 dBm (V68) typ. at f = 2 GHz
NF = 0.4 dB typ. Ga = 20 dB typ. at f = 900 MHz
3.微型4pin封装
4.Wg = 800 mm

2SC3583 微波,低噪声放大器,NPN,晶体管

2SC3583
2SC3583/R33
2SC3583/R34
2SC3583/R35
产品描述
2SC3583是npn型外延硅晶体管，用于设计低噪声和较高频波段小信号放大器，UHF波段。低噪声系数，高增益和高电流能力达到非常广阔动态范围和卓越的线性度。
产品特征
1.NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz
2.Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz

UPG2179TB    1.5W L, S波段单刀双掷开关

UPG2179TB
UPG2179TB-E4
UPG2179TB-E4-A
产品特征
1.开关控制电压:
Vcont (H) = 2.5 to 5.3 V (3.0 V TYP.)
Vcont (L) = ?0.2 to +0.2 V (0 V TYP.)
2.低损耗:
0.25 dB TYP. @ 0.5 to 1.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.30 dB TYP. @ 1.0 to 2.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.35 dB TYP. @ 2.0 to 2.5GHz,Vcont=3.0V/0 V
0.40 dB TYP. @ 2.0 to 3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
3.HIGH ISOLATION:
27 dB TYP. @ 0.5 to 2.0 GHz,Vcont=3.0V/0 V
24 dB TYP. @ 2.0 to 2.5 GHz,Vcont=3.0V/0 V
4.高功率:
Pin (0.1 dB)=+29.0dBm TYP. @ 0.5to3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
Pin   (1 dB)=+32.0dBm TYP. @ 0.5to3.0GHz,Vcont=3.0V/0 V
5.高密度表面贴装封装：
 6-pin超小形,无铅封装
产品应用:
1.S波段数字蜂窝和无绳电话
2.无线局域网，WLL和蓝牙
3.短程无线