深圳市万国高科电子有限公司 （非本站正式会员）

　　AO7600的参数：

　　类别：分离式半导体产品

　　家庭：FET - 阵列

　　FET 型：N 和 P 沟道

　　FET 特点：逻辑电平门

　　漏极至源极电压(Vdss)：20V

　　电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：900mA, 600mA

　　开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：300 毫欧 @ 900mA, 4.5V

　　Id 时的 Vgs(th)（最大）：900mV @ 250?A

　　闸电荷(Qg) @ Vgs：1.9nC @ 4.5V

　　输入电容 (Ciss) @ Vds：120pF @ 10V

　　功率 - 最大：300mW

　　安装类型：表面贴装

　　封装/外壳：6-TSSOP, SC-88, SOT-363

　　包装：带卷 (TR)

　　场效应管主要参数：

　　直流参数

　　饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

　　夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。

　　开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。

　　交流参数

　　低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

　　极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

　　极限参数

　　漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

　　栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。