微逻辑集成电路(深圳)电子 (非本站正式会员)

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供应瑞萨【2SK360IGE】原装【2SK360IGF】

  • 供应瑞萨【2SK360IGE】原装【2SK360IGF】
产品价格:
0.75/ 1pcs
厂 家:
RENESAS
封 装:
SOT-23
批 号:
10+
数 量:
56390
 
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产品咨询直线:0755-82577642

产品详细说明

Part number 2SK360
Category Discrete => Transistors => FETs (Field Effect Transistors) => MOSFETs
Description Small Signal High Frequency Amplifier Field Effect (FET) Transistor
Company Renesas
Datasheet Download 2SK360 datasheet
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公司业务经营范围

手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商,主要为:低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller(升压IC/控制IC) Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器,经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

 

 

另,微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍,分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重,内阻大。可用低端小电流产品(如MP3、MP4及一些小型产品上)
 

中端MOS管以台系为主,主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能,性能一般。
 
高端MOS管以日系为主:日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。


以上只为提供参考,如有需求或者需要提供技术支持请致电我司,或者发送邮件到‘Micrologic@foxmail.com ’我们将以更方便快捷的服务为你解决你的燃眉之急。


  结型场效应管(J-FET)

  在一块N型(或P型)半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(或N型区),就形成两个不对称的PN结。把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(g),在N型(或P型)半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极(s)和漏极(d)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为导电沟道(简称沟道)。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管

  分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管两种。

  由于结型场效应管的栅极输入电流iG>>0,因此很少应用输入特性,常用的特性曲线有输出特性曲线和转移特性曲线。