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微逻辑供应NEC原装结型晶体管【2SK1001-X42】价格【2SK1001-X43】资料电话83380020   Package Information

Package Image
Toshiba Package Name	USM
JEITA	SC-70
Package Code	SOT-323
Pins	3
Mounting	Surface Mount

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

公司业务经营范围

手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商，主要为：低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller（升压IC/控制IC） Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器，经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

另，微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍，分别以高端、中端、低端介绍

低端MOS管以大陆国内代工生产
  
主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重，内阻大。可用低端小电流产品（如MP3、MP4及一些小型产品上）
 

中端MOS管以台系为主，主要是以自己研发生产代工为主。
  
主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能，性能一般。
 
高端MOS管以日系为主：日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等
  
主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。

以上只为提供参考，如有需求或者需要提供技术支持请致电我司，或者发送邮件到‘Micrologic@foxmail.com ’我们将以更方便快捷的服务为你解决你的燃眉之急。

　双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

　　场效应管的名字也来源于它的输入端（称为gate）通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。 

编辑本段主要参数

　　1.开启电压VT

　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

　　·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

　　·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

　　2. 直流输入电阻RGS

　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

　　·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

　　·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

　　3. 漏源击穿电压BVDS

　　·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

　　·ID剧增的原因有下列两个方面：

　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

　　（2）漏源极间的穿通击穿

　　·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后

　　，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

　　4. 栅源击穿电压BVGS

　　·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

　　5. 低频跨导gm

　　·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

　　·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

　　·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

　　·一般在十分之几至几mA/V的范围内

　　6. 导通电阻RON

　　·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

　　·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间

　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

　　·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

　　7. 极间电容

　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

　　·CGS和CGD约为1～3pF

　　·CDS约在0.1～1pF之间

　　8. 低频噪声系数NF

　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小