微逻辑集成电路(深圳)电子 (非本站正式会员)

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产品价格:
0.95/ 1pcs
厂 家:
SANYO
封 装:
SOT-323
批 号:
10+
数 量:
89700
 
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产品详细说明

微逻辑电子供应原装SANYO结型晶体管2SK1065价格2SK1065市场部地址12101柜Package Information

Package Image USM
Toshiba Package Name USM
JEITA SC-70
Package Code SOT-323
Pins 3
Mounting Surface Mount

Absolute Maximum Ratings

Characteristics Symbol Rating Unit
Gate Current IG 10 mA
Gate-drain Voltage VGDS -50 V

Electrical Characteristics

Characteristics Symbol Condition Value Unit
Forward Transfer Admittance (Min) |Yfs| - 4 mS
Drain Current (Max) IDSS - 14 mA
Drain Current (Min) IDSS - 1.2 mA

 

  公司业务经营范围

  手机通讯手写本及电脑主板产品等领域的元件现货配套商,主要为:低压MOSFET场效应、数字晶体管、逻辑电路、电源管理、 SPDT微波信号模拟开关、锂电池保护IC、带阻抗晶体管、微波高频管、监控复位IC、 LDO稳压开关、DC/DC转换器、Step-up DC/DC Converter/Controller(升压IC/控制IC) Buck DC-DC Controller(PWM降压控制IC)、阶跃变容管、肖特基探测、低噪声放大器、运算放大器,经营品牌有Ti、Maxim、、Intersil、Freescale、On、Altera、Aeroflex、Adi、Nxp、Microchip、Avago、Samsung、Hittite、RFsmd、St、Atmel、Peregrin、Eudyna、Fujitsu、TriQuint、Fairchild、Mitsubishi、Jrc、Nec、Renesas、Toshiba、、MurataKec、Toshiba、Rohm、Fairchild、Panasonic、Lrc、Torex、TDK、Idt、Sanyo、Ao、MACOM、Vishay、Sony、IR、Skyworks、Sgmicro、Mini-circuits等

  另,微逻辑集成电路电子有限公司分别为低压MOSFET在各个领域应用所提供的性价比参考介绍,分别以高端、中端、低端介绍

  低端MOS管以大陆国内代工生产

  主要针对低成本的锂电池保护方案、因此产品晶片稍差、封装工艺不成熟、发热严重,内阻大。可用低端小电流产品(如MP3、MP4及一些小型产品上)

  中端MOS管以台系为主,主要是以自己研发生产代工为主。

  主要针对中端客户的锂电池保护方案、此产品技术一般大多数不带ESD保护功能,性能一般。

  高端MOS管以日系为主:日本东芝、三洋、松下、NEC、飞利浦等

  主要针对高端客户锂电池保护方案、此类产品带ESD保护、产品一致性好。

  以上只为提供参考,如有需求或者需要提供技术支持请致电我司,或者发送邮件到‘Micrologic@foxmail.com ’我们将以更方便快捷的服务为你解决你的燃眉之急。

 

  场效应管的试验测试:

  1、结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

  2、判定栅极:用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

  3 、制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

  4、估测场效应管的放大能力,将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

  由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

  MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路即可。