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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应AOD413A场效应管，MOSFET P通道AOD413A
产品详细说明
AOD413A 场效应管参数：
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：44 毫欧 @ 12A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs：21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1125pF @ 20V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
供应商设备封装：TO-252, (D-Pak)
包装：带卷 (TR)
场效应管的应用：
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然现在多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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