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　　类别：分离式半导体产品

　　家庭：FET - 单

　　FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

　　FET 特点：标准型

　　漏极至源极电压(Vdss)：30V

　　电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：85A

　　开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 20A, 10V

　　Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250?A

　　闸电荷(Qg) @ Vgs：76nC @ 10V

　　输入电容 (Ciss) @ Vds：4400pF @ 15V

　　功率 - 最大：100W

　　安装类型：表面贴装

　　封装/外壳：TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63

　　供应商设备封装：TO-252, (D-Pak)

　　包装：带卷 (TR)

　　场效应管的使用优势

　　场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。