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NTD24N06LT4G 功率MOSFET,24Amps,60V逻辑电平,N沟道,DPAK-安森美半导体

型号：
NTD24N06L-1G
NTD24N06LT4G
NTD24N06LG
厂商：安森美半导体
封装:SOT-252
批号：10+
供应数量:50000PCS
最小包装:2500/PCS,编带盘装
产品特点
1. 60V逻辑电平,功率MOSFET
2. 24Amps,60V逻辑电平
3.无铅封装（符合RoHS）
典型应用
1.电源
2.转换器
3.电源电机控制
4.桥电路

STB11NK40ZT4 功率MOSFET,400V,N沟道,0.49Ω,9A

型号：
STB11NK40
STB11NK40Z
STB11NK40ZT4
STP11NK40Z
STP11NK40ZFP
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-220,TO-220F
批号：10+
供应数量:50000PCS
最小包装:1000/盘,管装
产品特点:
Type         VDSS  RDS(on) ID   Pw
STB11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40Z   400V  <0.55Ω 10A  110W
STP11NK40ZFP 400V  <0.55Ω 10A  30W
1.极高的dv/dt的能力
2.100％雪崩测试
3.天关电荷减少
4.非常低的固有电容
5.制造业重复性非常好
Description
The SuperMESH? series is obtained through an
extreme optimization of ST’s well established
strip-based PowerMESH? layout. In addition to
pushing on-resistance significantly down, special
care is taken to ensure a very good dv/dt
capability for the most demanding applications.
Applications
1.Switching application

STB11NB40T4 N沟道400V,0.48ohm,10.7A,PowerMESH MOSFET,意法半导体

型号：
STB11NB40
STB11NB40T4
STB11NB40-1
厂商：ST/意法半导体
封装:SOT-263,TO-262
批号：10+
供应数量:50000PCS
最小包装:1000/盘,管装
产品特点:
Type         VDSS   RDS(on)  ID
STB11NB40   400 V  <0.55Ω  10.7 A   D2PAK
STB11NB40-1 400 V  <0.55Ω  10.7 A   I2PAK
1.典型的RDS（on）=0.48Ω
2.极高的dv/dt的能力
3.100％雪崩测试
4.非常低的固有电容
5.尽量减少栅极电荷
应用
1.大电流，高开关速度
2.开关模式电源（SMPS）
3.直流,交流电转换器焊接设备和不间断电源和电机驱动