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产品详细说明

标准包装:50

类别:分离式半导体产品

家庭:FET-单路

系列:HEXFET®

FET型:MOSFETN通道,金属氧化物

FET特点:标准型

开态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:7毫欧@82A,10V

漏极至源极电压(Vdss):75V

电流-连续漏极(Id)@25°C:140A

Id时的Vgs(th)(最大):4V@250µA

闸电荷(Qg)@Vgs:220nC@10V

在Vds时的输入电容(Ciss):5310pF@25V

功率-最大:330W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商设备封装:TO-220AB

包装:管件

其它名称:*IRF3808PBF