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产品详细说明
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.8 毫欧 @ 76A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：210A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：209nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8250pF @ 25V
功率 - 最大：3.8W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF3703PBF
专业生产销售二极管、三极管、肖特基、快恢复、变容管、整流管、电容电阻、可调电阻、微调电容、排阻、排容、压敏电阻、热敏电阻、钽电容、电解电容、瓷片电容、独石电容、电感、场效应管、光电耦合器、可控硅、稳压管、保险管、发光管、整流桥、名牌集成电路IC等电子元器件配套
