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深圳市新志佳半导体有限公司
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产品分类
供应IRF4905PBF场效应管 现货直销IRF4905PBF场效应管
- 产品价格：
- 面议/ 1pcs
- 交易说明：
- 面议
- 配送说明：
- 面议
- 厂 家：
- XZJ
- 封 装：
- TO-220
- 批 号：
- 2012+
- 数 量：
- 100000
产品咨询直线：0755-33200195
产品详细说明
IRF4905
的HEXFET
®
功率MOSFET
的PD -
国际整流器9.1280C 第五代HEXFETs的
利用先进的处理技术，实现
每硅片面积上电阻极低。这
利益，具有开关速度快和
坚固耐用的设备的设计，
是众所周知的HEXFET功率MOSFET的结合，提供设计师在多种应用
使用非常有效和可靠的设备
。
普遍首选的TO-220封装所有
商业在功耗工业应用
水平约50瓦。低的热
电阻和TO-220包装成本低，
有助于其整个
业界的广泛接受。
参数最大。单位
我
e
@ T
ç
= 25°C连续漏电流，V
GS
-10V -74
我
e
@ T
ç
= 100°C连续漏电流，V
GS
@-10V -52一个
我
马克
脉冲漏电流-260
带够
e
@ T
ç
= 25°C功率耗散200 W的
线性降额因子1.3瓦/°C间
至五
高盛
栅-源电压±20 V的
ë 单脉冲雪崩能量930兆焦耳我的AR 雪崩电流-38一é 的AR 重复雪崩能源20兆焦耳的dv / dt峰值二极管恢复dv / dt的-5.0的V / ns的T J 工作结和-55 （从案件1.6毫米）+ 175 ţ STG的存储温度范围焊接温度，10秒300 °C间安装扭矩， 6-32或M3螺丝10磅•（1.1N•m）的绝对最大额定值参数典型。最大。的单位ŕ θJC 结到案例--- 0.75 ŕ θCS 案例散热器，平板，脂表面0.50 ---°C / W，ŕ 的θJA 交界--- 62到环境的热阻至五DSS的=-55V ŕ DS（ON）=0.02Ω 我e =-74A TO-220AB l先进工艺技术升超低电阻l动态的dv / dt评价升175°C工作温度升的快速切换，L P-通道升全雪崩额定描述
