承泽电子(北京)有限公司

14年

供应2MBI200S-120原装现货,2MBI200S-120价格合理,2MBI200S-120长期供应。

  • 供应2MBI200S-120原装现货,2MBI200S-120价格合理,2MBI200S-120长期供应。
产品价格:
450/ 10pcs
厂 家:
FUJI
封 装:
IGBT
批 号:
10+
数 量:
60
 
点此询价

产品咨询直线:010-62558552

产品详细说明

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

品牌:富士
型号:2MBI200S-120
标称频率:a(MHz)
总频差:a(MHz)
激励电平:a(mW)
阻带衰减:a(dB)
调整频差:a(MHz)
负载电容:a(pF)
基准温度:a(℃)
输入阻抗:a(kΩ)
种类:换能器
温度频差:a(MHz)
负载谐振电阻:a(Ω)
插入损耗:a(dB)
输出阻抗:a(kΩ)

全新原装现货,价格优惠,长期供货,欢迎来电查询,010-57137171/010-57137373/010-57137575