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深圳国芯威科技有限公司
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供应JS28F256P33B95特现JS28F256P33B95
产品详细说明
高性能
■
Security
— 85/88 ns初始访问
—一次性可编程寄存器:
• 64独特的工厂设备标识符bits
— 40 MHz零等待状态,20 ns时钟
• 64用户可编程OTP bits
数据输出同步突发读取模式
附加• 2048用户可编程OTP bits
— 25 ns异步页阅读模式
—可选择主阵OTP的空间:
— 4-, 8-, 16-,和连续字突发模式的
• 4x32KB的参数的块+ 3x128KB主要
—缓冲增强工厂编程
块(顶部或底部的配置)
(BEFP)在5μs/字节(Typ)的
—绝对的写保护:V
PP
= V
SS
— 1.8 V缓冲在7μs/字节(Typ)的编程
—电源转换擦除/程序分离的
■
建筑
—个人零延迟块锁定
—多级电池的技术:密度最高
—单个块锁,
以的成本
■
软件
—阻止非对称架构
— 20 µs (Typ)方案暂停
—四32-KByte参数块:顶部或
— 20 µs (Typ)擦除暂停
底部配置
—英特尔
®
闪存数据集成优化
— 128-KByte主块
—基本命令集和扩展命令
■
电压和功率
设置兼容
— V
CC
(核心)电压1.7 V – 2.0 V
—共同闪存接口能力
— V
CCQ
(I/O)电压:1.7 V – 3.6 V
■
密度和包装
—待机电流:为55 µA (Typ) 256-Mbit
— 64/128/256-Mbit的密度56-Lead TSOP
— 4-Word同步读电流的:
package
13 mA (Typ) 40 MHz
— 64/128/256/512-Mbit密度在64-Ball
■
质量与可靠性
英特尔
®
易BGA 包装
—工作温度:–40 °C +85 °C
在• 1-Gbit SCSP –30 °C +85 °C
— 64/128/256/512-Mbit和1-Gbit密度
英特尔
®
四边形+ SCSP
—100,000每块擦除周期
— 16-bit宽数据总线的
— ETOX™ VIII工艺技术(130 nm)
英特尔StrataFlash
®
嵌入式的记忆(P30)产品是最新一代的英特尔
StrataFlash
®
存储设备.通过64-Mbit密度,1-Gbit的设备提供P30
嵌入式闪存细分市场带来可靠,two-bit-per-cell的存储技术.
好处包括在较少的空间密度,高速接口,cost-per-bit的NOR设备,并支持代码和数据存储.其特
点包括,高性能synchronousburst阅读模式,快速异步访问时间,低功耗,灵活选择安全,三产业的选择标
准包装