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MT47H64M16HR 3EIT - DDR2 SDRAM的 - 美光科技

DDR2 SDRAM，
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
特点
•VDD = +1.8 V±0.1V，VDDQ电压= +1.8 V，±0.1V
•JEDEC标准的1.8V的I / O（SSTL_18兼容）
•差分数据选通（DQS，DQS的＃）选项
•4N位预取架构
•重复输出选通（RDQS）选项X8
•DLL的对齐DQ和DQS与CK转换
•8个并发操作的内部银行
•可编程的CAS延迟（CL）的
•发表的CAS附加延迟（AL）
•写入延迟=读取延迟 - 1 TCK
•可选的突发长度（BL）的4个或8个
•可调的数据输出驱动强度
64ms的，8192周期刷新
•晶片上终端（ODT）
•工业级温度（IT）的选项
•符合RoHS标准
•支持JEDEC时钟抖动规范

选项1标志
•配置
MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks

产品均为环保正品，原厂进货，一手货源，价格优惠！质量可靠！常备现货!

深圳市奥伟斯科技有限公司
OWEIS TECH Co., LTD.
联系人:蔡先生 13751188660
QQ: 6678331
电话:0755-83221770   83254770
传真:0755-83254770
地址:深圳市福田区振中路中航苑鼎诚国际大厦611室
E-mali:OWEIS88@163.com
MSN:OWEIS_IC@163.com
www.oweis-tech.com
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•FBGA封装（无铅） - X16
- 84球FBGA（8×12.5毫米）
英文内容，H
人力资源
•FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA（8×11.5毫米）
英文内容
总部
•FBGA封装（无铅） - X4，X8
- 60球FBGA（8毫米×10毫米）英文内容的CF
•FBGA封装（无铅焊锡） - X16
- 84球FBGA（8×12.5毫米）
英文内容，H
硬件
•FBGA封装（无铅焊锡） - X4，X8
- 60球FBGA（8×11.5毫米）
英文内容
高压
•FBGA封装（无铅焊锡） - X4，X8
- 60球FBGA（8毫米×10毫米）英文内容JN
•时间 - 周期时间
- 1.875ns @ CL = 7-187E（DDR2-1066）
- 2.5ns @ CL = 5（DDR2-800）-25E
- 2.5ns @ CL = 6（DDR2-800）-25
- 3.0ns @ CL = 4（DDR2-667）-3E
- 3.0ns @ CL = 5（DDR2-667）-3
- 3.75ns @ CL = 4（DDR2-533）-37E

•自刷新
- 标准没有
- 低功率L
•工作温度
- 商用（0°C间≤TC≤85°）没有
- 工业（-40°C≤TC≤95°C，
-40°C≤TA≤85°）
资讯
- 汽车（-40°C≤训练班，助教≤105℃）的AT
•修订G /：H