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供应NXP功率MOS场效BUK583-60A,BUK583-60A价格,BUK583-60A现货

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产品价格:
1.0/ 1pcs
交易说明:
BUK583-60A原装现货
厂 家:
NXP
封 装:
SOT-223
批 号:
12+
数 量:
50000
 
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产品咨询直线:0755-82544779

产品详细说明

BUK583-60A - 功率MOS场效应晶体管逻辑电平 - 恩智浦半导体

概述快速参考数据
N沟道增强模式符号参数MAX机组
逻辑场效应功率
晶体管的塑料信封的VDS漏源电压60伏
适用于表面贴装ID漏电流(DC3.2
应用。 P合计总功耗1.8 W
使用该设备用于温度Tj结温150°C间
汽车和通用的RDS(ON漏源0.10 W状态
开关应用阻力;的VGS= 5V

 

限值
按照系统IEC134绝对最大限制
符号参数条件最小最大。机组
VDS的漏源电压 - 60V
VDGR栅极电压的RGS= 20千瓦 - 60伏
±VGS的栅源电压 - 15 V,
编号漏电流(DCTAMB= 25℃ - 3.2
编号电流(DC)TAMB =100℃ - 2.0
IDM的漏电流(脉冲峰值TAMB =29°C - 13
P合计总功耗TAMB= 25℃ - 1.8 W
T英镑储存温度 - 55150°C间
TJ结温度 - 150℃
BUK481-60A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK9830-30 NXP 11+ROHS SOT-223
BUK9880-55 NXP 11+ROHS SOT-223
BUK482-100A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK581-100A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK582-60A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK583-60A NXP 11+ SOT-223
BUK7830-30 NXP 11+ROHS SOT-223
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BUK9840-55 NXP 11+ROHS SOT-223
BUK581-60A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK582-100A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK7880-55 NXP 11+ROHS SOT-223
BUK98150-55 NXP 11+ROHS SOT-223
BUK481-100A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK482-60A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK483-60A NXP 11+ROHS SOT-223
BUK78150-55 NXP 11+ROHS SOT-223

产品均为环保正品,原厂进货,一手货源,价格优惠!质量可靠!常备现货!

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