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深圳市润芯微电子
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供应SI2306MOS生产厂家，SI2306MOS场效应管
产品详细说明
SI2306产品规格：
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制造商: |
Vishay |
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产品种类: |
MOSFET |
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晶体管极性: |
N-Channel |
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汲极/源极击穿电压: |
30 V |
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闸/源击穿电压: |
+/- 20 V |
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漏极连续电流: |
3.16 A |
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电阻汲极/源极 RDS（导通）: |
0.047 Ohms |
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配置: |
Single |
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最大工作温度: |
+ 150 C |
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安装风格: |
SMD/SMT |
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封装 / 箱体: |
TO-236-3 |
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封装: |
Reel |
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下降时间: |
12 ns |
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最小工作温度: |
- 55 C |
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功率耗散: |
750 mW |
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上升时间: |
12 ns |
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工厂包装数量 |
3000 |
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商标名: |
TrenchFET |
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典型关闭延迟时间: |
14 ns 窗体底端 |
SI2306产品图：
MOS场效应管分类：
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。
