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深圳国芯威科技有限公司
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供应存储器TC55NEM216ATGV70,TC55NEM216ATGV70现货，TC55NEM216ATGV70特供
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优势现货/ 10k
- 交易说明：
- 原装正品进口现货！！！！
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- 可接受小批量订货！！！价格优势！！！！
- 厂 家：
- TOSHIBA
- 封 装：
- TSOP-54
- 批 号：
- 10+
- 数 量：
- 2600
产品咨询直线：0755-29676185
产品详细说明
TC55NEM216ATGV70是4,194,304位的静态随机存取存储器（SRAM）为262,144字举办
16位。该设备采用东芝的CMOS硅栅工艺技术，从单一5V±
10％的电源。先进的电路技术提供了高速和低功耗，工作电流3
毫安/兆赫（典型值）和一个55 ns的最小周期时间。它会自动放置在低功耗模式1μA待机
电流（典型值），当芯片使能（CE）是高电平。有两个控制输入。行政长官是用来选择设备
和保存数据的控制，以及输出使能（OE）提供了快速内存访问。字节数据控制引脚（LB，
瑞银）提供上下字节访问。此设备适合于各种微处理器系统的应用
高速，低功耗和备用电池是必需的。而且，保证工作的极端
温度范围-40°〜85°C时，可用于TC55NEM216ATGV70表现出极端的环境
温度条件。TC55NEM216ATGV70是在一个塑料的54引脚薄小外形封装
（TSOP）的。 TC55NEM216ATGV70特点
•低功耗
工作：15毫瓦/ MHz（典型）
•单电源供电电压为5 V±10％
•掉电功能，使用CE
•数据保持2.0至5.5 V的电源电压
•直接TTL兼容所有输入和输出
•宽的工作温度范围-40°到85°C
•待机电流（最大值）：20μA
