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高密度NAND Flash存储器：符合大容量存储应用；NAND接口：×8总线宽度,多路复用地址/数据总线引脚兼容； 电源电压：3.3V设各V_CC＝2.7～3.6V； 存储器单元阵列：(2K＋64)字节×64页×8192块； 页面大小：(2K＋64备用的)字节； 时钟大小：(128K＋4K备用的)字节； 页面读/编程：随机存取：25μs(最大值),顺序存取：30ns(最小值),页编程时间：200μs(典型值)； 复制回编程模式：不受外界缓冲的快速页面复制； 高速缓存编程模式：改善编程吞吐量的内部高速缓存； 快速块擦除：块擦除时间：2ms(典型值)； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除被锁定； 数据的完整性：100000次编程/擦除周期,10年的数据保留； 封装：48引脚的TSOP封装和52引脚的ULGA封装

引脚图：

 批号：无铅环保
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