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深圳市新五棵星电子有限公司
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TISP61089D-S半导体原装热卖,专销Bourns TISP61089D-S半导体
产品详细说明
描述 | SCR Dual P Gate Forward Conducting |
制造商 | Bourns |
产品种类 | SCR |
最大转折电流 IBO | 11 A |
额定重复关闭状态电压 VDRM | 100 V |
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下) | 0.005 mA |
栅触发电压 (Vgt) | 2.5 V |
栅触发电流 (Igt) | 5 mA |
保持电流(Ih 最大值) | 150 mA |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 |
封装 | Tube |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
工厂包装数量 | 75 |
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具体铺位: | 广东深圳深圳市福田区中航路国利大厦2425室 | 仓库位置: | 广东深圳深圳市福田区中航路国利大厦2425室 |
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场地合同: | 已核查 | 核查时间: |