深圳市美思星科技有限公司

 CR6233 的开关频率受控于负载状况和线损补偿     工作模式。内部电路设定最大开关频率为

    随着负载电流的增加，导线上的电压降也    60KHz。

会增加，导致输出电压的减小。CR6233内置    在反激模式的断续工作时，最大输出功率的线损补偿电路能够补偿导线的损耗压降，从    通过以下公式计算：

而稳定输出电压。当引入了导线损耗压降以    1    2

    PoMAX=  LPFSWIP    （4）后，辅助绕组反射输出电压的计算公式（1）    2

    其中 LP是变压器原边电感值，IP是原边峰值将会被修正为

    电流。

V1.3                                                                                       6/9CR6233                           高精度、恒流/恒压、原边模式脉宽调制控制器

    为了系统能够安全的工作，原边采样电路    的开关频率为：

必须工作在非连续模式。为了防止系统进入连    1

    FSW =    （5）续工作模式，开关频率被内部环路锁定，此时    2T

    Demag

    由于TDemag与电感的大小成反比，因此，

电感L 和F  的乘积为一定值，从而限制了    保护控制

    P    SW    CR6233 为了确保系统的正常工作内置最大的输出功率，避免了系统进入连续工作模

式。    了多重保护措施。当这些保护措施一旦被触

    发，将会关断MOSFET。这些保护措施包括电流检测和前沿消隐    逐周期的电流限制、峰值电流限制、过温保护、

    CR6233采样功率MOSFET上的电流是    电源箝位、软启动、欠压锁定等。芯片的供电通过CS来实现的。CR6233不仅设计了逐周    电源VDD由辅助绕组提供。当VDD低于进期的电流限制，而且设计了峰值电流限制，最    入欠压锁定的阈值电压时，开关将会被关断，大的峰值电流电压为0.9V。因此，MOSFET    随后系统自动进入重启状态。CR6233每次的上最大的峰值电流为：     重启都具有软启动功能。

    I    =0.9V   （6）

    peak(max)   R

    S

    CR6233在CS端设计了一个约为540ns

的前沿消隐时间用来防止在开关导通时刻错

误的过流保护被触发。因此，不需要在CS端

在增加额外的RC滤波电路。采样电流的输入

信号CS和误差放大器的输出COMP共同决

定开关的占空比，稳定输出。

EMI特性的改善

    为了改善CR6233系统的EMI特性，芯

片内部采用了两种方式。其中一种方式是采用

频率抖动，即在CR6233正常工作频率的基

础上叠加一个微小的扰动。也就是说，内部振

荡器的频率被调制用来分散谐波干扰能量，分

散的能量能够最小化EMI带宽。另一种方式

是软驱动，即逐渐打开功率MOSFET。当提

供给功率MOSFET的栅驱动太强时，EMI特

性会变差；当提供给功率MOSFET的栅驱动

太弱时，开关损耗又会加大，因此需要在EMI

特性和开关损耗之间寻求折衷来提供合适的

栅驱动。CR6233采用了软驱动和图腾柱输出

结构，既获得了很好的EMI特性，又降低了

开关损耗。频率抖动和软驱动的综合应用使系

统的EMI特性获得了很大的改善。