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深圳市天旺科技开发有限公司
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产品详细说明
描述 | Transistors Bipolar (BJT) 600mA 40V PNP |
制造商 | ON Semiconductor |
产品种类 | Transistors Bipolar (BJT) |
晶体管极性 | PNP |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 40 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 at 0.1 mA at 1 V |
配置 | Single |
最大工作频率 | 200 MHz |
最大工作温度 | + 150 C |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
封装 | Bulk |
集电极连续电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 625 mW |
工厂包装数量 | 5000 |
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