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深圳市天旺科技开发有限公司
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MGSF1N03LT1G分离式半导体产品原装热卖，专销ON Semiconductor MGSF1N03LT1G分离式半导体产品
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 140pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 420mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | MGSF1N03LT1GOSMGSF1N03LT1GOS-NDMGSF1N03LT1GOSTR |
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