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深圳市天旺科技开发有限公司
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产品详细说明
| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) PNP Gen Pur Power |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 产品种类 | Transistors Bipolar (BJT) |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | - 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 10 |
| 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 3 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 40 W |
| 工厂包装数量 | 1000 |
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