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NJM4560集成电路是个高增益、宽带宽的双路运算放大器，它能够驱动20V峰峰到400Ω负载。NJM4560结合了NJM4558的许多特点，并能够提供更宽的带宽和更高的斜率，使得NJM4560非常适用于有源滤波器、数据和远程通信，以及许多乐器应用。NJM4560可采用表面贴装微型封装方式，所以它可用在需要高密度安装的关键应用中。
　　NJM4560(NJM4560M) 特征
　　工作电压 (±4V到±18V) 
　　宽增益带宽积 (一般为10MHz) 
　　转换速率 (一般为4V/μs) 
　　封装 (DIP8，DMP8，EMP8，SIP8) 
　　双极技术 
　　NJM4560(NJM4560M) 可靠性试验例子（Bipolar，C－MOS，GaAs） 
　　试验项目 试验方法
　　EIAJ ED-4701
　　试 验 条 件 
　　高温保存试验 201 Tstgmax,1000h 
　　低温保存试验 202 Tstgmin,1000h 
　　高温高湿度保存试验 103 85℃, 85％, 1000h 
　　连续动作试验 101 Tj=Tstgmax, 电压＝最大额定, 1000h 
　　高温高湿度偏差试验（THB） 102 85℃, 85％, 电压＝最大额定, 1000h
　　（实施预处理1） 
　　饱和蒸汽加压试验（PCT） -
　　Bipolar , Ｃ－ＭＯＳ 121℃, 2.03×105Pa, 100％, 100h
　　（实施预处理1） 
　　ＧａＡｓ 121℃, 2.03×105Pa, 100％,40h
　　（实施预处理1） 
　　焊锡耐热性试验 301 焊锡回焊（reflow）：峰值温度260℃×2次 
　　（实施预处理2） 
　　热冲击试验 307 0℃ 5min ～100℃ 5min10循环 
　　（实施预处理1） 
　　温度循环试验 105 Tstg min 30min～25℃ 5min～Tstg max 30min, 100循环
　　（实施预处理1）
　　焊锡附着性试验 - Sn-37Pb：230℃, 5s (使用非活性焊剂)
　　Sn-3Ag-0.5Cu：245℃, 5s (使用非活性焊剂)
　　（实施预处理3） 
　　静电破坏试验 
　　- Bipolar , Ｃ－ＭＯＳ C=100pF, R=1.5kΩ, 试验电压 V=±1000V 
　　ＧａＡｓ C=200pF, R=0Ω, 试验电压 V=±50V