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供应H26M42001FMR,大量热销,现货供应H26M42001FMR~

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产品价格:
1/ 1pcs
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交易说明:
深圳原装现货,可开17%增值税票
厂 家:
Hynix
封 装:
BGA
批 号:
11+
数 量:
5000
 
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产品详细说明

海力士半导体开发出采用了eMMC (Embedded Multi Media Card) 国际标准 JEDEC eMMC 4.41规格的20纳米级 高性能e-NANDTM 产品.

以小尺寸的形式开发的此 产品在智能手机、Tablet PC等 Mobile Application提供最优化的Form Factor, 以优秀的NAND Flash 管理技术(ECC, Wear-leveling , 应对Power Loss 的 Data Protection 功能等)和基本的JEDEC 标准接口来给硬件、软件设计上带来方便.

而且采用了最适合于Mobile产品的FTL (Flash Translation Layer) 算法,相比之前的产品在随机读写速度和数据安全方面,预计提供更好的性能.

海力士半导体将在4月份提供20纳米级 4/8/16GB Customer 样片, 32GB则是在6月份.

坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制 成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项 处理,将导致高故障率。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。