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深圳市元世通电子有限公司
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供应H55S5122DFR-60M-C hynix mobile sdram
产品详细说明
技术参数: 制造厂商: HYNIX 产品类别: 工作电压: 工作温度: 存储介质类别: I/O接口位宽: 存储密度: 损坏区块: 芯片版本: 芯片特征: 封装类型:BGA 封装材料:无铅 mobile sdram 与一般的sdram比较 更适合移动、手持设备使用; 电源电压范围:1.8V 封装不同:小封装 BGA 没有一般SDRAM速度快,目前最大可达到100多兆; 省电设计:TCSR:Temperature Compensated Self Refresh PASR:Partial Array Self Refresh DS:Driver Strength 初试化时需要设置MOBILE SD的MR和EMR两个寄存器。 FLASH的模式设置为异步还是同步,要看CPU是否支持,系统是否需要用FLASH的同步模式;同步模式的设置是需要驱动来做的。