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产品分类
供应IRLML2502 IRLML2502 价格及PDF文档
产品详细说明
数据列表
IRLML2502PbF
产品相片
SOT-23
产品培训模块
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源
IRLML2502TR Saber Model
IRLML2502TR Spice Model
标准包装
3,000
类别
分立半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
包装
带卷 (TR)
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）
4.2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
45 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
12nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
740pF @ 15V
功率 - 最大值
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
产品目录页面
1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRLML2502PBFTR
