参数:品牌:INR美德国际整流器件,型号:IRLR2905TRPBF,种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:FM/调频,封装外形:CHIP/小型片状,材料:GE-N-FET锗N沟道,开启电压:1(V),夹断电压:1(V),低频跨导:1(μS),极间电容:1(pF),低频噪声系数:1(dB),最大漏极电流:1(mA),最大耗散功率:1(mW)
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品牌 | INR美德国际整流器件 | 型号 | IRLR2905TRPBF |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | FM/调频 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 最大漏极电流 | 1(mA) |
最大耗散功率 | 1(mW) |