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MT29F128G08CJAAAWC技术参数： 制造厂商：micron 产品类别：nand flash 工作电压：2.7V-3.6V 存储介质类别：MLC-2 四管芯单I/O 通道 I/O接口位宽：*8bit 存储密度：128Gbits=16GB 损坏区块：工厂保留字 芯片版本：第一代 芯片特征：双片选，双忙信号 异步接口 封装类型：TSOP 封装材料：无铅封装 MT29F128G08CJAAAWC特点: 1.容量和成本 　　MT29F128G08CJAAAWC的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。 　　NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128M B的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存 储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和M MC存储卡市场上所占份额最大。 物理构成 　　MT29F128G08CJAAAWC的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。