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K9F1G08U0D-SCB0技术参数： 制造厂商：SAMSUNG 产品类别：NAND FLASH 工作电压：2.7V-3.6V 工作温度：0-70 存储介质类别： I/O接口位宽: x 8bit 存储密度： 损坏区块：包含坏块 芯片版本：第五代 芯片特征： 封装类型：TSOP 封装材料： 无铅 包装：TRAY NOR与NAND的接口区别 　　NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每 一个字节。 　　 NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同 。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 　　 NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。 NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。 　 　NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 　　 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。